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安森美全系列IGBT满足汽车、电源、澳门银河娱乐场等各类应用需求-新品

半导体是动力知识的指挥半导体供应国。,做准备复杂的动力策略,包含MOSFET、IGBT、二极管、宽波段隙(WBG)及以此类推立法机构和智能功率模块(IPM),尤其在收买费尔柴尔德绰号半导体后来的。,它是全程的瞬间超国家政治实体分离的器件半导体供应国,它在IGBT管辖审视具有无与伦比的优势。,做准备最好的IGBT技术和最广为流传地的IGBT一朝分娩作战队形。

 

MOLIMI半导体在IGBT管辖审视的优势

功率器件打中MORIMI半导体、IGBT、薄晶圆封装技术具有权力大的的知识产权作战队形,IGBT创造知识在全程的很多地获名次都自己的事物。,大规模一朝分娩做饭IGBT已有30年的体验。,600 V和1200 V沟槽场最后部分IGBT平台机能已经过分离的一朝分娩和功率集成模块(PIM)系列节目证明。自2016年9月开端收买费尔柴尔德绰号公司,MORIMI半导体的IGBT作战队形被庞大地扩张。,做准备600 V、650 V、1200 V、1350 V、1500 V IGBT,采取TO-3P、TO-247、TO-247 4L、TO-220、TO-220 FullPak、D2PAK、DPAK及以此类推包装,用于汽车、太阳能传感器、突然移动(UPS)、电磁炉、杂多的策略,如电焊机和电力机械把持。。

图1:MORIMI半导体IGBT作战队形

沟槽栅场最后部分IGBT技术是一要紧的技术搜索光点。,图2是用于MORIMI S的沟槽栅场最后部分IGBT的横断面,采取后备金属化。、后备汇集、栅变成氧化的、场变成氧化的、失活等科技,电场散布呈排成梯队散布。,可以如愿以偿最佳化的信息亏耗和使出轨机能。。

图2:沟槽栅场最后部分IGBT节

MORIMI半导体IGBT具有漂亮的的非箝位过敏性使出轨(U),体系暂态事变的可靠庞大地变高。。UIS用于与试验有关的策略的雪崩抗力。,比如,知识在击穿后可以接待的性能程度。。UIS性能不依赖于击穿矛盾。。

莫里米半导体的FSIII 法庭最后部分1200 V IGBT采取专有物的超视场最后部分技术。,它与彻底地回复二极管(FRD)一齐封装,软关断。,做准备最小反向回复破财。FSIII FRD运用较薄的内涵层。、最佳化内涵缓冲层和少掺杂阳极。,显示较低的正向压降(VF)、软使出轨和反向反向回复电流(IRRM)。另外,其极宽的顶点打击了场最后部分层。,它可以如愿以偿指挥通电话的总使出轨亏耗。,仔细的率EF扩大超国家政治实体使出轨体系的新基面。比如,NGTB40N120 FL3WG的总使出轨亏耗为MJ。,NGTB25N120 FL3WG的总使出轨亏耗为1.7。 mJ。两个器件在每个额定电流下的VCEsat为1.7。 V,非凡的恰当的UPS和太阳能传感器。。NGTB40N120 L3WG被最佳化以做准备低信息亏耗。,额定电流的VCSAT为1.55。 V,总使出轨亏耗为3。 mJ,次要用于电力机械原动力策略。这些1200 V IGBT还曾在2016年获《昔日电子》与21IC奇纳电子网蹑足其间颁布“Top 10电源一朝分娩奖,这是电子通电话褒奖高高质量的PR的基面。。

MORIMI半导体的FS4 沟槽场最后部分650 V IGBT,如FGH50T65SQD_F155和FGH75T65SQD_F155,有着高电流性能、高输入阻抗、彻底地切换和紧凑的限制因素散布。。

FSIII和FS4是上进的IGBT技术。,做准备高机能强IGBT一朝分娩。

另外,安森美半导体不但在分离的器件上有业界指挥的一朝分娩,该公司还联手了上进的电源模块技术。,绍介了用于太阳能传感器和UPS的T型传感器。 PIM。集成模块包含IGBT和换向器。,运用MORIMIM半导体的专有物沟槽FS技术 强超快FRD,有效地利用为中央钳位T拓扑建筑风格。,能源效应可达98%在上文中。模块打中IGBT经过在低使充满矛盾(Vce)和低关断亏耗(Eoff)中间重大取舍,最佳化巡回机能正好,最大结温TJ = 175度C或短路性能。模块打中超快换向器做准备低VF机能和高T值。。可有效地利用的封装平台采取超国家政治实体直系的键合铜(DBC)基板技术及专有物的压合(press-fit)引脚,它可以做准备高尚的的比功率。、高机能高可靠。

朕的IGBT用于MORIMI半导体。 PIM模块和竞争者的IGBT模块举行能源效应相对地,它们被评价为一任一某一7千瓦T传感器的策略。,任务在15每秒千周、200 交流矛盾和650伏恒定电流环节矛盾。出路标示:,MORIMI半导体的IGBT PIM模块的性能源效应率和热机能更妥。

用于澳门银河娱乐场的IGBT

1. 功率因数对准(PFC) 类策略

PFC类IGBT次要用于产业管辖审视。、空调设备及以此类推策略,任务频率审视为20~40。 kHz,峰值电流20 A至 40 A,低噪声问、低使出轨亏耗。

在完全相同的事物的任务状态,IPM建筑风格比团圆PFC建筑风格做准备高尚的的任务频率。,而且因线圈安顿在巡回板上。,在那附近减小了芯的重大。,压下拆卸本钱。。在220 交流矛盾,4 千瓦任务频率,无桥纵横式PFC的体系总亏耗还较分离的的加大推力PFC压下38%。

表1:安森美半导体用于PFC类澳门银河娱乐场的IGBT作战队形

2. 传感器策略

很的策略次要包含冰柜。、洗涤者、洗涤者等,任务频率审视为5~20。 kHz,峰值电流审视从3到15。 A,低功耗是精华的的。、高可靠,假使你想压下本钱,转向可以运用团圆IGBT。。

比如,冰柜用传感器,莫里米半导体做准备600 V NGTB03N60R2DT4G、NGTB05N60R2DT4G、NGTB10N60R2DT4G,压紧DPAK封装,做准备低使充满矛盾VCE(SAT),至多可接待5 μs短路,卓绝发射出,它有助于造物主采取紧凑的PCB并如愿以偿高性能源效应率。。

洗涤者、电锯用传感器或原动力,一任一某一MORIMI半导体做准备NGTB10N60R2DT4G与DPAK封装。、采取TO-220F-3FS封装的NGTB10N60FG和NGTB15N60R2FG,这些IGBT具有低的VCE(SAT)和快车道使出轨机能。,至多可接待5 μs短路,摈除封锁策略。,做准备高性能源效应率。

3. 过敏性发暖作用策略

过敏性发暖作用策略分为两种拓扑建筑风格:单端式和半桥式。单端式建筑风格简略,次要用于电灶。、微波炉等低本钱策略,需求IGBT、压服器件,如冷凝器和感应器,最超国家政治实体不超过2。 kW,矛盾共振软使出轨,采取高BVCES IGBT,最好具有彻底地使出轨机能。,矛盾审视在1000至1,500 V,电流中间状态15和30中间。 A;半桥拓扑次要用于2在上文中的频率。 kW 高功率策略,如电磁炉外部,2 IGBT和封锁栅极原动力器是精华的的。,电流共振软使出轨,高电流IGBT,最好是低VCE(SAT)。,矛盾审视从600到650。 V,电流中间状态40和60中间。 A。

图3:单端拓扑(左)和半桥拓扑(右)

表2:安森美半导体用于过敏性发暖作用类澳门银河娱乐场的IGBT作战队形

总结

莫里米半导体是指挥的IGBT供应国。,装备上进的IGBT技术和广为流传地的IGBT作战队形。,从600做准备 V至1500 V、发育立体和沟槽典型。、从FS到FS4的高机能IGBT和IGBT PIM。公司独家沟槽阻塞技术及封装优势,使出轨亏耗与信息亏耗的完美无缺的均衡,它可以清偿过的杂多的策略和不一样客户的需求。。 

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